Análisis experimental de la inestabilidad del voltaje de umbral mediante la caracterización eléctrica uf-otf en mosfets de potencia fabricados en nitruro de galio

Esteban Augusto Guevara-Cabezas, Cristian Javier Rocha-Jácome, Fabricio Javier Santacruz-Sulca, José Luis Tinajero-León

Resumen


 


En el presente artículo se analiza el procedimiento experimental para la degradación temporal de los parámetros eléctricos PBTI y NBTI en un grupo de  dispositivos GaN MOSFETs de canal n, los resultados se obtuvieron aplicando el método de caracterización ultra rápido UF-OTF el mismo que permite evaluar la evolución temporal de la corriente de drenador y el voltaje de umbral cuando el dispositivo se encuentra en un sistema de caracterización de semiconductores, el mismo que permite estabilizarlo a un régimen de temperatura constante mientras varía el voltaje de compuerta, los resultados obtenidos muestran cierto grado de inestabilidad referente al voltaje de umbral V_T, Las mediciones UF-OTF muestran que el cambio en el voltaje de umbral ∆V_T son atribuidos a la captura/emisión de cargas eléctricas en el dieléctrico e interfaz GaN/AlGaN, además la variación del voltaje umbral ∆V_T decrece con el incremento de la temperatura para el mismo nivel de estrés sugerido en los experimentos, sugiriendo que la recuperación de ∆V_T se restablece con la variación de la temperatura.


 


Palabras clave


GaN MOSFETs; BTI; UF-OTF

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DOI: https://doi.org/10.23857/pc.v7i5.4013

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